根据新闻的报道，苹果的A17仿生芯片将于明年采用TSMC的N3E流程

苹果的iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max今年发布。两者都配备了A17仿生处理器，但这与明年发布的A17版本不同。前者使用TSMC N3B过程，后者使用增强的N3E过程。

与基于5NM工艺的A14，A15和A16芯片相比，苹果燃烧的A17仿生基金现在首次使用3NM制造工艺。 根据该报告，iPhone 15 Pro系列中使用的A17仿生型使用N3B流程，明年推出的模型将完全切换到N3E过程。

TSMC讨论了3NM基本版（N3B）节点和3NM增强（N3E）的一些数据。 简而言之，N3B是N3E的“便宜”版本。在最终的芯片中，功耗控制比性能更为集中。 对于新的N3E节点，高密度SRAM位细胞大小不会减小，并且与N5节点的位细胞大小完全相同。

在IEDM期间，TSMC透露，N3B的CGP为45nm，是迄今为止最密集的披露。 这是Intel 4的50nm CGP，Samsung 4LPP的54nm CGP和TSMC N5的51NM CGP领先。

N3E之所以开发，是因为N3B无法满足TSMC的性能，功率和输出目标。 目标是纠正N3B的缺点。

第一个主要变化是金属间距的轻微放松。 TSMC开关以撤退和单个图案，而不是为M0，M1和M2金属层使用多个模式的EUV。

在IEDM期间，TSMC表明N3E的位细胞大小为0.021μm2，与N5完全相同。 这是对SRAM的毁灭性打击。 由于产量，TSMC放弃了SRAM细胞的大小，代替了N3B。

N3B配备了SRAM缩放，单位尺寸仅为0.0199μm²，比以前的版本小5％。 N3E（ISO -辅助电路开销）的存储密度约为31.8 MIB/mm²。